原理機制

元件類型

重點特性

集射極崩潰電壓 (BVCEO) : 基極開路時，使其集射極接面崩潰的的最小電壓
射集極崩潰電壓 (BVECO) : 基極開路時，使其射集極接面崩潰的的最小電壓
集極暗電流 (ICEO) : 無照光與基極開路時，流過集射極的漏電流
集射極飽和電壓 VCE(S) : 使PN接面皆處於順偏時的集射極最大電壓
電流增益 (HFE) : 集極電流與基極產生光電流之間的放大倍率

光電晶體於光耦合器

1. 由光的發射、光的接收與訊號放大組成，完成電-光-電的轉換
2. 輸入端與輸出端完全實現了電氣隔離並單向傳輸，輸出信號對輸入端無影響
3. 電流傳輸比 (CTR) 定義為輸出電流IC與輸入電流IF的比值(參閱下圖)，主要用來評估負載電阻值的選定
4. 常用於信號隔離開關與訊號傳輸

原理機制

操作種類

重點特性

斷態重複峰值電壓 (VDRM) : 控制極斷路和閘流體正向阻斷的條件下，可重複加在閘流體兩端的正向峰值電壓
通態峰值電壓 (VTM) : 通過正向峰值電流IFM或通態峰值電流時的峰值電壓
靜態電壓上升率 (dv/dt) : 當電流為零且施加的電壓為高電壓時，上升速率超過靜態dv/dt，光閘流體即會誤導通
維持電流 (IH) : 規定的環境溫度和控制極斷路的條件下，維持元件繼續導通的最小電流，當光閘流體的正向電流小於這個電流時，閘流體將自動關斷
抑制電壓 (VINH) : 於零點觸發電路中，當負載電壓高於抑制電壓時，即使觸發電流很高，也可防止光閘流體被觸發