功率MOSFET
高電壓垂直雙擴散場效電晶體
台亞不僅有優異的耐壓能力和低電阻，且具有快速開關特性，可實現高效率的功率轉換，應用於各式小功率與大功率場景當中，作為電源轉換器、燈光控制、直流馬達控制、電子鎖、充電器和電力因數校正器等之解決方案，滿足差異化的產品需求，為許多國際大廠的理想選擇。
基本原理
高電壓垂直雙擴散場效電晶體(Vertical Double Diffused MOSFET)，又可稱VD-MOSFET的特點在於其結構中的垂直P-N結，使其具有優異的耐壓能力和低電阻。在VD-MOSFET中，電荷被垂直地擴散到N溝道區域，並且可以在較低的漏極電壓下運行，這使其成為許多高功率應用的理想選擇。
重點應用
除了結構上的耐高壓特點外，VD-MOSFET還具有快速開關特性，可實現高效率的功率轉換。在開關操作中，VD-MOSFET可以在極短時間內轉換成高阻態和低阻態，從而提高整個系統的效率。此外，VD-MOSFET還具有低靜態功耗和高可靠性，可以在廣泛的應用領域中使用。
VD-MOSFET的主要應用包括電源轉換器、燈光控制、直流馬達控制、電子鎖、充電器、無線充電器和電力因數校正器等。在這些應用中，VD-MOSFET可以提供高效率的功率轉換和可靠性，同時也可以滿足高電壓和低電阻的要求，因此它在許多高功率應用中得到廣泛應用與青睞。
主要參數
設計MOSFET電路時，需要考慮輸入電源、負載和控制電路等因素，以保證整個系統的正常運行。此外，還需要適當地選擇和配置其它電子元件，如二極管和電容器等，才可達到良好的絕緣、散熱、靜電保護效果，因此在使用MOSFET時，需要瞭解以下幾個重要參數：
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絕對最大額定值 :
– BVDSS (Drain-Source Breakdown Voltage) : D-S最大崩潰承載電壓
– VGSS (Gate-Source Voltage) : G-S最大驅動電壓
– ID(max) (Continuous Drain current (max.) : D-S最大持續導通電流
– PD (Power Dissipation) : MOSFET最大功率損耗
– Tj (Operating Junction Temperature) : MOSFET最大操作結面溫度
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電器特性 :
– RDS(on) (Drain to Source on Resistance) : D-S通道導通阻抗
– IDSS (Drain to Source Leakage Current) : D-S洩漏電流
– IGSS (Gate to Source Leakage Current) : G-S洩漏電流
– Vth (Gate threshold Voltage) : MOSFET開啟電壓或稱閘極閾值電壓
– VSD (Diode forward voltage drop) : 寄生二極體順向導通電壓
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動態參數 :
– Ciss (Input Capacitance) : 輸入功率電容
輸入功率電容，是閘極-源極間電容Cgs和閘極-汲極間電容Cgd合計的電容
– Coss (Output Capacitance) : 輸出功率電容
汲極-源極間電容Cds和閘極-汲極間電容Cgd合計的輸出功率側全體電容
– Crss (Reverse Transfer Capacitance) : 反饋電容
閘極-汲極間電容Cgd
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切換開關參數 :
– Qg (Total Gate Charge):
MOSFET動作必須充電Ciss此電容，使MOSFET的閘極電壓從0V上升到一定電壓所需要的閘極電荷量。
– Qgs (Gate to Source Charge):
閘極-源極間的電荷量，使MOSFET的閘極電壓從0V上升到閘極一定電壓所需要的閘極-源極間電容的電荷量。
– Qgd (Gate to Drain Charge):
閘極-汲極間的電荷量，使MOSFET的汲極-源極間電壓VDS從電源電壓下降至導通狀態時電壓所需要的閘極-汲極間電容的電荷量。
– Tr (Rising Time):
汲極-源極間電壓從設定電壓的90%下降到10%所需要的時間。
– Td(on) (Turn On Delay Time):
閘極-源極間電壓上升到設定電壓的10%後，到汲極－源極間電壓下降到設定電壓的90%之間的時間
– Tf (Falling Time):
汲極－源極間電壓從設定電壓的10%上升到90%所需要的時間
– Td(off) (Turn Off Delay Time):
閘極－源極間電壓下降到設定電壓的90%後，到汲極－源極間電壓上升到設定電壓的10%之間的時間
